πŸ“‚ Π”ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚: usilitel-b01_clean.html


Β 

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π° вСрсия β„– 1

Π‘ΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π°, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆ? Наладка, схСмотСхника, характСристики.

Моя сборка усилитСля Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π° ΠΈ модификация

Β 

ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ ΠΆΡƒΡ€Π½Π°Π» Π Π°Π΄ΠΈΠΎ 1987 β„– 4 (стр 29)

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π° вСрсия β„– 1Β  ВСрсия для ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ

ΠŸΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ вниманию Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π—Π§ (Π£ΠœΠ—Π§) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ коэффициСнт Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ простом схСмном Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ, способСн Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ тСрмостабилизации Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя транзисторов ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада.Β  Вторая вСрсия усилитСля Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π°

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики усилитСля ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅:

Номинальная (максимальная) ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ сопротивлСниСм 4 Ом. Π’Ρ‚ - 60(80)

ΠΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ частот. Π“Ρ† - 20-20 000

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ номинальной Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности Π² номинальном Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот, % - 0.03

НоминальноС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π’ - 0.775

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² номинальном Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот. Ом. Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ - 0.08

Π‘ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (Π±Π΅Π· кондСнсатора Π‘2). Π’/мкс - 40

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма усилитСля ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 1. Он Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π£ΠœΠ—Π§, описанного Π² (1). ОсновноС усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ обСспСчиваСт каскад Π½Π° Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ОУ DA1. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ каскад собран Π½Π° транзисторах VT1 -VT4. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠ°, Π² описываСмый ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° транзисторах VT5, VT6. Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π’.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ усилитСля особоС Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠ΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌΡƒ каскаду. Π‘ Ρ†Π΅Π»ΡŒΡŽ сниТСния Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний Π±Ρ‹Π» Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π›Π’ с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ покоя (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 20 мА). ВСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ достигнута Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзисторов VT3, VT4 рСзисторов ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большого сопротивлСния RI9, R20. Однако ΠΈΠ·-Π·Π° отсутствия Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ каскадС 100 %-Π½ΠΎΠΉ ООБ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ колСбания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° покоя Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 15... 25 мА, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ допустимы, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π½Π΅ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилитСля Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ. Для компСнсации Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ напряТСния Π±Π°Π·Π° - эмиттСр транзисторов VT1, VT2 ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π² ΠΈΡ… Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ VD3--VD5. КаТдоС ΠΏΠ»Π΅Ρ‡ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ мСстной ООБ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 20 Π΄Π‘. НапряТСниС ООБ снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ транзисторов VT3, VT4 ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ R11R14 ΠΈ R12R15 подаСтся Π² эмиттСрныС Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзисторов VT1, VT2. Частотная коррСкция ΠΈ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ООБ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ кондСнсаторами Π‘10, Π‘11. РСзисторы R13, R16 ΠΈ R19, R20 ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскадов усилитСля ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°Ρ… ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзисторов VT5, VT6 Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 3,5:4 А, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Π² этом случаС ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΡƒΡΠΏΠ΅Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡΠ³ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ FU1 ΠΈ FU2 ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ усилитСля.

Π”ΠΈΠΎΠ΄ VD6, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·Π°ΠΌΠΈ транзисторов VT5, VT6, сниТаСт искаТСния Ρ‚ΠΈΠΏΠ° "ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒΠΊΠ°". ΠŸΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π½Π° Π½Π΅ΠΌ напряТСниС (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,75 Π’) суТаСт ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» напряТСний Π½Π° эмиттСрных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… транзисторов, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ½ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹. Π’Π΅ΠΌ самым обСспСчиваСтся ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ мСньшСй Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π΅ сигнала ΠΈ Π² Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ врСмя Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² Π΅Π³ΠΎ отсутствиС. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналах Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R21. К Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот L1, C14 ΠΈ R23, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΡ… всплСсков сигнала (Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1 мкс) Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΈ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ процСссы Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ каскадС. Π—Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ влияния Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚.

Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ достигнуто Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠΉ (Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 70 Π΄Π‘) ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ ООБ, напряТСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ снимаСтся с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° усилитСля ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ C3-C5, R3 ΠΈ R4 подаСтся Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ОУ DA1. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘5 ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ АЧΠ₯ усилитСля ΠΏΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ООБ.

ЖСсткая стабилизация постоянного Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ +20 ΠΌΠ’ достигнута ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² усилитСлС 100 %-Π½ΠΎΠΉ ООБ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Для сниТСния этого напряТСния Π΄ΠΎ +1 ΠΌΠ’ ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠ±Π°Π»Π°Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ОУ DA1. ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ (Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π·Π½Π°ΠΊΠ° напряТСния) рСзистор R24 ΠΈΠ»ΠΈ R25 сопротивлСниСм 200:820 КОм.

Π’ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Π°Ρ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля Ρ†Π΅ΠΏΡŒ R1C1 ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ полосу пропускания частотой 160 ΠΊΠ“Ρ†. Максимально возмоТная линСаризация АЧΠ₯ Π£ΠœΠ—Π§ Π² полосС 10:200 Π“Ρ† достигнута ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Смкости кондСнсаторов Π‘1, Π‘3 ΠΈ Π‘4.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚ стабилизированного, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚ нСстабилизированного источника питания, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ сохраняСтся ΠΏΡ€ΠΈ сниТСнии ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний Π΄ΠΎ +25 Π’ (разумССтся, с ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности). ΠŸΡ€ΠΈ использовании стабилизированного источника питания слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ появлСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ стабилизаторов Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… (Π΄ΠΎ 10 Π’) ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ†ΠΈΠΈ с частотой усиливаСмого Π£ΠœΠ—Π§ сигнала ΠΏΡ€ΠΈ мощности, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΊ номинальной.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π° вСрсия β„– 1 пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ собран Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅ ΠΈΠ· Ρ„ΠΎΠ»ΡŒΠ³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ стСклотСкстолита Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 2 ΠΌΠΌ, соСдинСнной с внСшними цСпями Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅ΠΌΠΎΠΌ МРН32-1. Вранзисторы VT3, VT4 снабТСны Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ (рис.2), согнутыми ΠΈΠ· листового алюминиСвого сплава Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 1 ΠΌΠΌ, ΠΈ установлСны Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π΅. Вранзисторы ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада VT5, VT6 Π·Π°ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½Ρ‹ Π²Π½Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ… с ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ повСрхности 400 см2 ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ. Π’ усилитСлС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ рСзисторы ΠœΠ›Π’, кондСнсаторы К73-17 (C1), KM (C2, C8-C11), К53-1 (Π‘3, Π‘4, Π‘6, Π‘7), ΠšΠ” (Π‘5), ΠœΠ‘Πœ (Π‘14) ΠΈ К73-16Π’ (Π‘12, Π‘13). ΠšΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° L1 Π½Π°ΠΌΠΎΡ‚Π°Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠŸΠ­Π’-2 0,8 Π² Ρ‚Ρ€ΠΈ слоя Π½Π° корпусС рСзистора R22 (МВ-1) ΠΈ содСрТит 40 Π²ΠΈΡ‚ΠΊΠΎΠ².

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π° вСрсия β„– 1 пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°

ВмСсто ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° схСмС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ОУ К574Π£Π”1А, К574Π£Π”1Π’ ΠΈ транзисторы Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², Π½ΠΎ с индСксами Π“, Π” (VT1, VT2) ΠΈ Π’ (VT3-VT6).

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, собранный ΠΈΠ· исправных Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ, ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ налаТивания. Как ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‚ΠΎΠΊ покоя транзисторов VT3, VT4 ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ рСзистора R6, Π° минимальноС постоянноС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ усилитСля - рСзистора R24 ΠΈΠ»ΠΈ R25.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ измСрялся Π² полосС 20-20000 Π“Ρ† компСнсационным ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ выброс Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ кондСнсаторС Π‘2) Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π» 3%, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ ΠΎ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ устойчивости усилитСля.

Π“. Π‘Π ΠΠ“Π˜ΠΒ  Π³. ЧапаСвск ΠšΡƒΠΉΠ±Ρ‹ΡˆΠ΅Π²ΡΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π».

Π›Π˜Π’Π•Π ΠΠ’Π£Π Π

1. АлСхсСнко А. Π“., ΠšΠΎΠ»ΠΎΠΌΠ±Π΅Ρ‚ Π•. А.,

Π‘Ρ‚Π°Ρ€ΠΎΠ΄ΡƒΠ± Π’. И. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ИБ.- М.: Π Π°Π΄ΠΈΠΎ ΠΊ связь, 1981. с. 214-215.

2. Π—ΡƒΠ΅Π² П. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΏΠ΅Ρ‚Π»Π΅Π²ΠΎΠΉ ООБ.- Π Π°Π΄ΠΈΠΎ. 1984. β„– 11. с. 29--32; Π›ΠΊ 12, с. 42-43.

3. Π”ΠΌΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΅Π² Н., Π€Π΅ΠΎΡ„ΠΈΠ»Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Н. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° усилитСлСй мощности 34. - Π Π°Π΄ΠΈΠΎ, 1985, М 5, с. 35- 38; β„– 6. с. 25-28.

Π ΠΠ”Π˜Πž β„– 9 4, 1987 Π³.

Β 

Вторая модификация усилитСля Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€Π°

К ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ Π±Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π° идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π‘ΠΎΠ»Π½Ρ†Π΅Π²Π°

Β 

Моя сборка усилитСля Π‘Ρ€Π°Π³ΠΈΠ½Π° ΠΈ модификация

Π‘Π»ΠΎΠΊΠΈ питания для усилитСлСй

Β 

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ интСрСсныС ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ

На ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΡƒΡŽ страницу  На Π³Π»Π°Π²Π½ΡƒΡŽ страницу  На ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ страницу

Β